光伏產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)升級對光伏設(shè)備有什么影響？
硅片尺寸對設(shè)備的影響。
大尺寸趨勢已成為行業(yè)共識。隨著相關(guān)研究的深入，工藝越來越精益，差異化越來越明顯。未來，市場將對設(shè)備制造商提出更高的要求。后續(xù)的技術(shù)進步主要集中在拉晶和加工設(shè)備的優(yōu)化升級上。對于企業(yè)來說，不太可能被不同的技術(shù)路線所取代，有大規(guī)模的投資基礎(chǔ)。
硅片端:目前主流單晶爐熱屏內(nèi)徑270mm左右，M12硅片外徑295mm，需要投資新的長晶設(shè)備。在大尺寸硅片薄片化過程中，碎片率，切片機也需要更換。為了降低成本，單爐的進料量也沒有增加；
電池片端擴散沉積工藝在密封管道中進行，相應(yīng)尺寸需要擴大。同時，制絨、鍍膜等環(huán)節(jié)均勻性要求較高，設(shè)備需要改進或更換；
部件端：層壓機和串焊機也要更長更寬。此外，這些設(shè)備的使用也促進了過程的自動化。
事實上，前面已經(jīng)討論過電池工藝變化對設(shè)備的影響是顯而易見的。PERC只需要在原有BSF的基礎(chǔ)上添加設(shè)備，TOPCon只需要在PERC的基礎(chǔ)上添加設(shè)備。而且HJT工序較少，需要更換一些全新的設(shè)備，投資較大。
PERC主要增加PECVD/ALD設(shè)備。ALDCVD相比，ALD目前，ALD設(shè)備在新增PERC產(chǎn)能中的比重越來越高，2018年已超過60%。目前，行業(yè)內(nèi)PERC電池技術(shù)加入了熱氧化技術(shù)，優(yōu)化了蝕刻，擴散匹配效率提高到21.7%。與其它CVD方法不同，PECVD方法的特點是等離子體中含有大量高能電子，能提供化學(xué)氣相沉積所需的激活能。
組件技術(shù)升級對設(shè)備的影響-半片技術(shù)。
采用激光切割法，將標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的電池片沿垂直于電池主柵線的方向切割成相同的兩個半片，然后進行焊接串聯(lián)，從而將每個主柵的電流降低到原來的1/2，內(nèi)部損耗降低到整個電池的1/4，從而提高組件的功率。半片技術(shù)疊加在上疊加半片技術(shù)可提高5~6W的功率；在單晶PERC組件上疊加相同的技術(shù)可提高8W以上的功率。
半件優(yōu)點：減少發(fā)熱，減少溫度損失；減少遮擋損失；提高封裝效率。
與其他新技術(shù)相比，半片技術(shù)最成熟，最容易實現(xiàn)快速大規(guī)模量產(chǎn)，因此串焊機數(shù)量需求的增長將更加顯著。
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